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型号 IRF9953TRPBF
厂商 International Rectifier
描述 HEX/MOS P-CH DUAL 30V 2.3A 8SOIC
IRF9953TRPBF PDF
代理商 IRF9953TRPBF
产品目录绘图 IR Hexfet 8-SOIC
标准包装 1
系列 HEXFET®
FET 型 2 个 P 沟道（双）
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 250 毫欧 @ 1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 190pF @ 15V
功率 - 最大 2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SO
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1521 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRF9953TRPBF
IRF9953PBFCT
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